联系人: 李玉真
邮箱: liyzh1@shanghaitech.edu.cn
电话: 021-20685793
主要规格和技术参数:
肖特基浸没式场发射高分辨扫描电镜
分辨率：0.7nm（15kV）, 0.7nm（1kV）, 3.0nm（5kV、WD10mm、5nA）
主要功能及特色:
1. In-lens Schottky Plus Field Emission Electron Gun: Maximum Beam Current: 20 nA 2kV / 500 nA 30 kV
2. Super Hybrid Lens (SHL)
3. Gentle Beam Super High Resolution (GBSH):Maximum sample bias voltage: -5 kV 适用于不导电样品
4.Back Scattered Electron detector: RBEI detector (retractable)
5.Chamber Camera: CMOS camera system
6.Low Vacuum with secondary electron detector for LV
主要附件及配置:
1.Oxford EDS: X-Max Extreme
2. Electron Beam Lithography system:Raith ELPHY Quantum
主要功能
微观形貌：观察纳米颗粒、薄膜、断口、涂层等表面结构与缺陷。
成分分析：微区元素定性 / 定量、线扫描 / 面分布，判断元素分布与偏析。
失效分析：断口形貌与成分关联，定位断裂、腐蚀、磨损等失效原因。
多领域应用：材料、生物、地质、电子等样品的综合表征，兼顾导电与非导电样品
